IGBT模塊上有一個(gè)“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當(dāng)PWM波輸出的時(shí)候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的。我在說(shuō)明變頻器逆變?cè)淼臅r(shí)候，用的一個(gè)電阻做負(fù)載。電阻做負(fù)載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷，上圖所示的原理沒(méi)有問(wèn)題。但變頻器實(shí)際是要驅(qū)動(dòng)電機(jī)的，接在電機(jī)的定子上面，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”。電感有一個(gè)特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時(shí)，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會(huì)“斷斷續(xù)續(xù)”的，這就給電機(jī)帶來(lái)嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時(shí)，會(huì)產(chǎn)生反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)電動(dòng)勢(shì)加在IGBT上面，對(duì)IGBT會(huì)有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個(gè)續(xù)流二極管，電機(jī)的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢？如下圖，負(fù)載上換成了一個(gè)電感L。當(dāng)1/4開(kāi)通時(shí)，電感上會(huì)有電流流過(guò)。然后PWM波控制1/4關(guān)斷，這樣上圖中標(biāo)箭頭的這個(gè)電路中就沒(méi)有電流流過(guò)。由于電感L接在電路中，電感的特性，電流不能突然中斷，所以電感中此時(shí)還有電流流過(guò)，同時(shí)因?yàn)殡娐飞想娏髦袛嗔耍瑢?dǎo)致它會(huì)產(chǎn)生一個(gè)反電動(dòng)勢(shì)，這個(gè)反電動(dòng)勢(shì)將通過(guò)3的續(xù)流二極管加到正極上，由于正極前面有濾波電容。當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。山東定制富士IGBT銷(xiāo)售廠

富士IGBT

首先可用在線盤(pán)處串接燈泡的辦法大致判斷一下主板驅(qū)動(dòng)等部分是否正常;2、接上線盤(pán)先開(kāi)機(jī)試一下無(wú)鍋能否正常報(bào)警，若能則關(guān)機(jī)放上鍋具，采用幾次短時(shí)(1秒左右)開(kāi)機(jī)試加熱后用手摸散熱板(注意拔掉插頭以防觸電)溫度，若溫升明顯則還有問(wèn)題，需進(jìn)一步查找發(fā)熱原因?3、IGBT溫度過(guò)高是電流過(guò)大，為什么過(guò)大就是沒(méi)有通斷通斷，你說(shuō)電壓都正常，為何會(huì)爆管。你可以把線圈拆去，接上60W電燈泡試，有的是不亮，有的閃亮，如果常亮或比較亮就不行了!4.串接燈泡試，是間隙性閃亮，只是感覺(jué)亮的瞬間亮度比較亮。就會(huì)爆IGBT。5:很多電磁爐主板上電容已經(jīng)減容，如:MC-SY191C型，有3個(gè)220UF/25V已經(jīng)降至73UF沒(méi)換新的話，維修好有時(shí)候用幾天，有時(shí)候炒幾盤(pán)菜客戶就回修，又是爆IGBT等等2020-03-30美的電磁爐為什么總是燒IGBT看看大家的看法放鍋加熱爆IGBT管(侯森經(jīng)歷)故障檢修方法如下：1、換好損壞的元件后，首先可用在線盤(pán)處串接燈泡的辦法大致判斷一下主板驅(qū)動(dòng)等部分是否正常；2、接上線盤(pán)先開(kāi)機(jī)試一下無(wú)鍋能否正常報(bào)警，若能則關(guān)機(jī)放上鍋具，采用幾次短時(shí)（1秒左右）開(kāi)機(jī)試加熱后用手摸散熱板（注意拔掉插頭以防觸電）溫度，若溫升明顯則還有問(wèn)題。常見(jiàn)富士IGBT高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)。

IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級(jí)別的芯片可幫助模塊制造商提高產(chǎn)品集成度和功率密度，并有效節(jié)約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通用逆變器、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電、焊接以及開(kāi)關(guān)電源（SMPS）等領(lǐng)域。單管IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。功率模塊是比分立式IGBT規(guī)模稍大的產(chǎn)品類(lèi)型，用于構(gòu)造電力電子設(shè)備的基本單元。這類(lèi)模塊通常由IGBT和二極管組成，可有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。而即用型組件模塊則于滿足大功率應(yīng)用的需求。這些組件常被稱(chēng)作系統(tǒng)，根據(jù)具體應(yīng)用領(lǐng)域采用IGBT功率模塊或單管進(jìn)行構(gòu)造。從具有整流器、制動(dòng)斬波器和逆變器的一體化功率集成模塊，到大功率的組件，英飛凌的產(chǎn)品覆蓋了幾百瓦到幾兆瓦的功率范圍。這些產(chǎn)品高度可靠，性能、效率和使用壽命均很出色，有利于通用驅(qū)動(dòng)器、伺服單元和可再生能源應(yīng)用（如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用）的設(shè)計(jì)。HybridPACK?系列專(zhuān)為汽車(chē)類(lèi)應(yīng)用研發(fā)，可助力電動(dòng)交通應(yīng)用的設(shè)計(jì)。為更好地支持汽車(chē)類(lèi)應(yīng)用。

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱(chēng)為源區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為源極。N+區(qū)稱(chēng)為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱(chēng)為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱(chēng)為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱(chēng)為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱(chēng)為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門(mén)極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說(shuō)：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過(guò)整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。立即購(gòu)買(mǎi)文章：1317個(gè)瀏覽：187698次分享：電動(dòng)車(chē)用大功率IGBT模塊測(cè)試解決方案碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測(cè)試與系統(tǒng)評(píng)估臺(tái)積電獲準(zhǔn)繼續(xù)向華為供貨英飛凌在進(jìn)博會(huì)上宣布新在華投資計(jì)劃ITECH半導(dǎo)體測(cè)試方案解析，從容應(yīng)對(duì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)風(fēng)起云涌！跑贏大市，揭秘華潤(rùn)微2020年半年報(bào)凈利潤(rùn)大漲背后的玄機(jī)IGBT–電動(dòng)汽車(chē)空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)功率半導(dǎo)體井噴：IGBT模塊主流廠商與產(chǎn)品基于IGBT器件的三相逆變器驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與分析苦難與輝煌集成電路國(guó)產(chǎn)化之路（下）（SWOT分析法）苦難與輝煌集成電路國(guó)產(chǎn)化之路。從用電端來(lái)看，家用白電、 微波爐、 LED照明驅(qū)動(dòng)等都對(duì)IGBT有大量的需求。山東定制富士IGBT銷(xiāo)售廠

2015年國(guó)際IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為48億美元，預(yù)計(jì)到2020年市場(chǎng)規(guī)模可以達(dá)到80億美元。山東定制富士IGBT銷(xiāo)售廠

措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以減小這種過(guò)電壓。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí)，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過(guò)電壓。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí)，初級(jí)拉閘，因變壓器激磁電流的突變，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過(guò)電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。3．直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí)，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過(guò)電壓，但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。4．過(guò)電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅，而是保護(hù)變壓器線圈。5．電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件。為了解決均流問(wèn)題，過(guò)去加均流電抗器，噪聲很大，效果也不好，一只一只進(jìn)行對(duì)比，擰螺絲松緊，很盲目，效果差，噪音大，耗能。我們采用的辦法是：用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號(hào)，裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配，很間單。每一只元件上都刻有字，以便下更換時(shí)參考。這樣能使均流系數(shù)可達(dá)到。山東定制富士IGBT銷(xiāo)售廠

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